Yuri Vorobiev

Investigador titular

Doctor en Ciencias (1984),
Academia de Ciencias de Kiev, Ucrania
Nivel III del SNI
correo: vorobiev@cinvestav.mx
Tel. 4422119916

Semblanza

Maestría en Ingeniería Radiofísica, Universidad Estatal de Kiev, Ucrania, 1959
Doctorado en Física de Semiconductóres (PhD). Universidad Estatal de Kiev, 1966
Doctorado en Ciencias (D.Sc). Instituto de Semiconductóres, Kiev, UCRANIA, 1984
Miembro de Accademia de Ciencias de Alta Escuela, Moscu Federacion Rusa

Líneas de investigación

Optoelectronica, Celdas solares de alta eficiencia, Semiconductores, Descripcion de las puntos cuanticos

Proyectos relevantes

Proyecto CONACYT - SEP CB 152513

Publicaciones recientes y/o relevantes

"Nanostructured Chalcogenide Thin Films Synthesized by Chemical Methods for Photovoltaic Applications", by Y.V. Vorobiev, F. Willars-Rodriguez, F. Chimal-Moreno, Rafael Ramírez-Bon, C.E. Perez-Garcia, Pavel Vorobiev, in International Journal of Theoretical and Applied Nanotechnology (IJTAN), Vol. 8 (2020), pp. 13-20.
"Research implementing different dopants (M = Al, Sn, and Eu) on the properties of Schottky diodes with structure TCO/CdS/C and TCO/ CdS:M/C", by F.J. Willars-Rodrígueza, I.R. Chávez-Urbiola, M.L.Melgoza-Ramírez, L.E. Trujillo, E.A. Chávez-Urbiola, R. Ramírez-Bon, P. Vorobiev, Yu.V. Vorobiev, in J.Alloys and Comp., Vol. 894 (2022), p. 162369.
¨Degradation processes and revitalization effect in monorcystalline silicon solar cells¨, by F.J.Willars-Rodríguez, R.Ramírez Bon, Y.V. Vorobiev, S.A. Pérez Garcia and P. Vorobiev, in Int. IEEE Journal, Vol. 7 (2019), pp. 34-37