Máximo López López
Investigador Cinvestav 3D
SNII III
E-mail: mlopezl@cinvestav.mx
Teléfono: +52 (55) 5747 3800 extensión 6109
Oficina: 75A
Semblanza
En 1981 ingresó a la Escuela Superior de Física y Matemáticas del Instituto Politécnico Nacional. En 1988 se incorporó al programa de maestría del Departamento de Física del Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del Instituto Politécnico Nacional. El tema de su tesis de Maestría estuvo relacionado con el almacenamiento de carga en dispositivos de memoria innovadores para la industria microelectrónica.
Ese mismo año de 1988 solicitó y obtuvo la prestigiosa beca Monbusho del Gobierno de Japón que le permitió ingresar a la Universidad Tecnológica de Toyohashi. Como parte de su tesis doctoral, propuso un método que permitió crecer, por primera vez usando la técnica de epitaxia por haces moleculares, arseniuro de galio sobre la cara (110) del silicio con una calidad adecuada para aplicaciones electrónicas. En 1992 fue invitado a trabajar como investigador al Optoelectronics Technology Research Laboratory, en la ciudad científica de Tsukuba, en Japón.
En 1995 se integra a la planta de profesores del Departamento de Física del Cinvestav-IPN, donde crea un laboratorio de fabricación de nanoestructuras y trabaja en problemas de carácter aplicado entre los que destaca la fabricación por primera vez en México de dispositivos para el efecto Hall Cuántico.
En la actualidad el Dr. Máximo López es nivel III del SNI, miembro de la Academia Mexicana de Ciencias, ha publicado 155 artículos en revistas internacionales con arbitraje estricto. En el año 2003 recibió el Permio de la Academia Mexicana de Ciencias en el Área de Ingeniería y Tecnología. Ha graduado un total de 45 estudiantes de los cuales 20 son de doctorado, 21 de maestría, y 4 de licenciatura. Fue Jefe del Departamento de Física del Cinvestav-IPN por un periodo de ocho años 2011-2019.
Líneas de Investigación
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Nanoestructuras Semiconductoras, Espintrónica, Dispositivos y Sistemas Cuánticos.
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Crecimiento de materiales semiconductores por epitaxia de haces moleculares.
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Fabricación y caracterización de estructuras baja dimensión: Pozos, Hilos y Puntos Cuánticos.
Proyectos relevantes
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Desarrollo de materiales con banda de energía prohibida ultra ancha basados en III-nitruros. CONAHCYT, Ciencia de Frontera 2023
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Cost-efficient and radiation-tolerant pixel detectors for ionizing radiation based on thin-film technology. Proyecto Innovate uk- Newton Fund. 2016
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Fabricación de celdas solares de aleaciones semiconductoras basadas en ga(in)n proyecto SENER-CONACYT. 18/ene/2012 – abril 2016
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Creación de un laboratorio para el procesamiento de dispositivos microelectrónicos y optoelectrónicos. proyecto con el instituto de ciencia y tecnología. 01/abr/2011 fin: 30/ago/2013
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Desarrollo de nanoestructuras semiconductoras iii-v con aplicaciones en fotodetectores en el infrarrojo proyecto Conacyt. 17/sep/2008 - 16/sep/2011
Publicaciones recientes y/o relevantes